В.И. Гаврыш, канд. физ.-мат. наук
Национальний университет «Львовская политехника»,
(Украина, 79013, Львов, ул. С. Бандеры, 12,
тел. (032) 2582578, e-mail:
АННОТАЦИЯ
За узагальненими функціями отримано рівняння теплопровідності з розривними та сингулярними коефіцієнтами для ізотропної безмежної багатошарової пластини з теплоізольованими лицевими поверхнями, яка містить чужорідне наскрізне теплоактивне включення. Після кусково-лінійної апроксимації температури на межових поверхнях включення та інтегрального перетворення Фур'є знайдено аналітично-числовий розв'язок задачі теплопровідності з крайовими умовами другого роду. Виконано числовий аналіз для одношарової безмежної пластини з наскрізним включенням, що виділяє тепло.
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
температура, теплопроводность, стационарная краевая задача, изотропная пластина, инородное включение, идеальный тепловой контакт.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Беляев Н.В., Рядно А.А. Методы теории теплопроводности. Ч. I. — М. : Высш. шк., 1982.— 327 с.
2. Немировский Ю. В., Янковский А.П. Решение стационарной задачи теплопроводности слоистых анизотропных неоднородных пластин методом начальных функций //Мат. методи та фіз.-мех. поля. — 2008.— 51, № 2. — С. 222—238.
3. Немировский Ю.В., Янковский А.П. Асимптотический анализ задачи нестационарной теплопроводности слоистых анизотропных неоднородных пластин при граничных условиях первого и третьего рода на лицевых поверхностях // Там же.— 2007.—50, № 2. — С. 160—175.
4. Havrysh V.I., Kosach A.I. Boundary-value problem of heat conduction for a piecewise homogeneous with foreign inclusion // Materials Science. — 2012. — 47, № 6. — P. 773—782.
5. Havrysh V.I., Fedasyuk D.V., Kosach A.I. Boundary-value problem of heat conduction for a layer with foreign cylindrical inclusion // Ibid.— 2011. — 46, № 5. — P. 702—708.
6. Gavrysh V.I. Thermal state modelling in thermosensitive elements of microelectronic devices with reach-through foreign inclusions // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012.— 15, № 3. —P. 247—251.
7. Gavrysh V. Modelling the temperature conditions in the three-dimensional piecewise homogeneous elements of microelectronic devices // Ibid.—2011.—14,№4.—P. 478—482.
8. Гаврыш В.И. Моделирование температурных режимов в термочувствительных микроэлектронных устройствах со сквозными инородными включениями//Электрон. моделирование. — 2012.— 34, № 4.— С. 99—107.
9. Гаврыш В.И.,Косач А.И. Моделирование температурних режимов в элементах микроэлектронных устройств // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1—2 (90). — C. 27—30.
10. Fedasyuk D., Gavrysh V. Modelling of temperature conditions in electrical devices of inhomogeneous structure // Computational Problems of Electrical Engineering.—2012.—2, № 1. — P. 25—28.
11. Подстригач Я.С., Ломакин В.А., Коляно Ю.М. Термоупругость тел неоднородной структуры. — М. : Наука, 1984. — 368 с.
12. Коляно Ю.М. Методы теплопроводности и термоупругости неоднородного тела. — Киев: Наук. думка, 1992.— 280 с.
13. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров.—М. : Наука, 1977.— 720 с.
ГАВРЫШ Василий Иванович, канд. физ.-мат. наук, доцент Национального университета «Львовская политехника». В 1982 г. окончил Львовский госуниверситет им. И. Франко. Область научных исследований — моделирование процессов теплопроводности в телах кусочнооднородной структуры, разработка методов решения линейних и нелинейных граничных задач теплопроводности.